UM：3K字；
DM：1K字。
要將程序?qū)懭隕PROM，請(qǐng)使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫入器。
在EPROM存儲(chǔ)器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲(chǔ)器盒內(nèi)CP1E-E40SDR-A技術(shù)指標(biāo)。
若將EPROM存儲(chǔ)器盒從CPU上拆下，不會(huì)丟失它的數(shù)據(jù)。
CPU有一個(gè)安裝存儲(chǔ)器盒的艙。
存儲(chǔ)器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作。
可選用EEPROM和EPROM存儲(chǔ)器盒CP1E-E40SDR-A5槽，可以安裝5個(gè)模塊。
C200H系列PLC模塊和CS系列PLC的模塊都可以用。
兩個(gè)擴(kuò)展裝置系列，長(zhǎng)度多達(dá)50米，適用于長(zhǎng)距離擴(kuò)展，
多可包括72個(gè)單元和7個(gè)裝置CP1E-E40SDR-A技術(shù)指標(biāo)。
由于在12m距離內(nèi)具備多達(dá)80個(gè)單元和7個(gè)裝置的擴(kuò)展容量，CS1可滿足大型控制需求。
或者，一個(gè)I/O控制單元和多個(gè)I/O接口單元可用于連接兩個(gè)系列的CS1長(zhǎng)距離擴(kuò)展裝置
(各延長(zhǎng)多達(dá)50m且共包含多達(dá)72個(gè)元和7個(gè)裝置)。CS1基本I/O單元、CS1高功能I/O單元和CS1 CPU總線單元可安裝在裝置中的任意位置，
且無需滿足特殊遠(yuǎn)程編程要求即可進(jìn)行編程。
注:C200H單元不能安裝在長(zhǎng)距離擴(kuò)展裝置中。2層螺釘端子塊。
輸出點(diǎn)數(shù)：8點(diǎn)輸出。
PNP類型。
除數(shù)字I/O從站單元的基本數(shù)字ON/OFF信號(hào)外，
還從從站單式I/O端子塊可加快啟動(dòng)時(shí)間并且改善可維護(hù)性CP1E-E40SDR-A技術(shù)指標(biāo)。
每個(gè)數(shù)字I/O從站單元均可添加一個(gè)擴(kuò)展單元以增加系統(tǒng)配置的靈活性。
收集改善生產(chǎn)效率所需的各種預(yù)防性維護(hù)數(shù)據(jù)，
例如有關(guān)由于老化導(dǎo)致的設(shè)備衰退的信息以及設(shè)備運(yùn)行時(shí)間數(shù)據(jù)。24點(diǎn)輸入輸出型。
輸入：16點(diǎn)。
晶體管輸出：16點(diǎn)。
連接器（MIL）。
需要I/O連接器數(shù)：2。
輸入：DC24V，16點(diǎn)。
輸出：晶體管（漏型），8點(diǎn)。
高功能、大192點(diǎn)輸入輸出、節(jié)省了寬度的小機(jī)型。
與CPM2A有相同功能的細(xì)長(zhǎng)型。
在小型的外表下集合了有效控制機(jī)器的多彩的功能。
CPU具有繼電器輸出/晶體管輸出、端子臺(tái)鏈接器連接、時(shí)鐘功能有無等多種型號(hào)（DC電源）。
可根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)情況選擇輸出類型、I/O點(diǎn)數(shù)。
另外，通用8點(diǎn)/10點(diǎn)/16點(diǎn)/20點(diǎn)/24點(diǎn)/32點(diǎn)的擴(kuò)展I/O單元，
多可控制192點(diǎn)輸入輸出。輸入輸出點(diǎn)數(shù)：1024點(diǎn)（使用遠(yuǎn)程I/O時(shí)大4096點(diǎn)）。
處理時(shí)間：基本指令0.125μs以上,應(yīng)用指令0.6μs以上。
程序容量：標(biāo)準(zhǔn)62k字(16字節(jié)/字)。
采用SFC（順序功能圖）語言，程序結(jié)構(gòu)化，易編、易讀、易調(diào)試。
高功能通信網(wǎng)絡(luò)，SYSMAC NET，SYSMAC LINK及SYSMAC BUS/2。
使使用FINS（OMRON通信系統(tǒng)協(xié)議），實(shí)現(xiàn)多層、遠(yuǎn)程編程及監(jiān)CP1E-E40SDR-A安全注意事項(xiàng)CP1E-E40SDR-A安全注意事項(xiàng)。
并行雙I/O擴(kuò)展系統(tǒng)，長(zhǎng)度可達(dá)50m，擴(kuò)展單元地址可方便設(shè)定。
高速、高容量、每千條基本指令掃描時(shí)間僅為0.125ms，數(shù)據(jù)區(qū)可達(dá)256K字。
可通過CV500-ENT01與ETHERNET通訊。