輸出點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)、漏型。
額定電壓：DC24V。
大負(fù)載電流：1A。
外部接線：拆卸端子塊、負(fù)載短路保護(hù)。
SYSBUS遠(yuǎn)程I/O從站機(jī)架：可以。
占用單元數(shù)：1CHCVM1-BI064基礎(chǔ)知識(shí)。
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)：CE。
新改進(jìn)的特殊I/O單元使得PC應(yīng)用更為容易。
新增加了運(yùn)動(dòng)控制單元、雙軸高速計(jì)數(shù)器單元、8點(diǎn)模擬量I/O單元，
4點(diǎn)模擬量I/O混合單元CVM1-BI064
安裝在CPU上特殊I/O單元數(shù)目已從多10個(gè)增加到16個(gè)，
它更充分利用了C200HX/HG PC的功能，
正確組合特殊I/O單元可以容易地對(duì)被控制系統(tǒng)進(jìn)行管理CVM1-BI064基礎(chǔ)知識(shí)。
可實(shí)現(xiàn)智能I/O讀寫(xiě)指令。
只執(zhí)行1條指令即可以傳送多個(gè)字的數(shù)據(jù)與C200HS兼容的全部特殊I/O單元都可以照常使用。
SYSMAC C200HX/HG/HE系列逐漸成為受用戶的喜愛(ài)的強(qiáng)有力的PC。輸入擴(kuò)展I/O單元。
輸入：8點(diǎn)。
連接器（富士通產(chǎn)）。
需要I/O連接器數(shù)：1個(gè)。
輸入：DC24V，8點(diǎn)。
輸出：-。
開(kāi)關(guān)量?jī)H有兩種相反的工作狀態(tài)，
例如高電平和低電平，繼電器線圈的通電和斷電，
觸電的接通和斷開(kāi)，PLC可以直接輸入和輸出開(kāi)關(guān)量信號(hào)。
有的PLC將開(kāi)關(guān)量稱為數(shù)字量。
開(kāi)關(guān)量不是通電，就是斷電，或稱為0和1，0代表通電，1代表斷電。
例如數(shù)：16點(diǎn)CVM1-BI064基礎(chǔ)知識(shí)。
大開(kāi)關(guān)容量：2A.AC250V。
小開(kāi)關(guān)容量：10mA DC5V。
響應(yīng)時(shí)間(ON延遲)：大10ms。
響應(yīng)時(shí)間(OFF延遲)：大5ms。
外部連接：端子臺(tái)。
輸出公共端：16。
內(nèi)部電流消耗(DC5V)：大850mA。
雙倍的I/O點(diǎn)數(shù)和程序容量，提供足夠的控制能力。
與CQM1相比，程序容量、DM容量和I/O點(diǎn)數(shù)都增加了一倍。
增加程序和DM容量以滿足更復(fù)雜的控制程序，
以及要求更高功能的數(shù)據(jù)處理的需要。
增加I/O數(shù)來(lái)支持大型系統(tǒng)和專用I/O單元。輸出點(diǎn)數(shù)：8點(diǎn)。
開(kāi)關(guān)容量：AC250V，1.2A以下。
所需字?jǐn)?shù)：1字。
將單元安裝到CPU裝置時(shí)，多可控制960點(diǎn)。
CS1提高空間效率。只需將10個(gè)基本I/O單元(各96個(gè)I/O點(diǎn))安裝到CPU裝置，
即可控制多達(dá)960個(gè)I/O點(diǎn)?；蛘撸ㄟ^(guò)按住五個(gè)模擬量輸入單元和五個(gè)模擬量輸出單元，
也可控制多達(dá)80個(gè)模擬量I/O點(diǎn)。
提高了數(shù)據(jù)鏈接、遠(yuǎn)程I/O通信和協(xié)議宏的刷新性能。
以前，僅在執(zhí)行指令后的I/O刷新期間，CCPU總線單元才會(huì)發(fā)生I/O刷新CVM1-BI064支持軟件操作手冊(cè)。
但是，借助新CS1，通過(guò)使用用DLNK指令，可立即刷新I/OCVM1-BI064支持軟件操作手冊(cè)。
立即刷新特定于CPU總線單元的過(guò)程意味著可提高CPU總線單元的刷新響應(yīng)性，
如執(zhí)行指令時(shí)用于數(shù)據(jù)鏈接和DeviceNet遠(yuǎn)程I/O通信和分配的CIO區(qū)/DM區(qū)字的過(guò)程。