輸入點(diǎn)數(shù)：48點(diǎn)。
輸入電壓和電流：DC24V，大約5mA。
輸出點(diǎn)數(shù)：48點(diǎn)漏型。
輸出電壓和電流：DC12～24V，0.1A。
所需字?jǐn)?shù)：3個(gè)輸入字，3個(gè)輸出字節(jié)C200H-B7A22參數(shù)設(shè)置教程。
大容量CPU單元可增加組件控制電源。
CS1 CPU單元均享有多達(dá)5120個(gè)I/O點(diǎn)的出眾容量、250K步的編程、448字的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(包括擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器)和4096個(gè)定時(shí)器/計(jì)數(shù)器C200H-B7A22
由于具備較大編程容量，CS1 PLC小僅適用于大型系統(tǒng)，
還可輕松處理增值應(yīng)用和其他數(shù)據(jù)處理C200H-B7A22參數(shù)設(shè)置教程。
數(shù)據(jù)處理期間的周期時(shí)間變化減少
需要較長執(zhí)行時(shí)間的指令
(如表數(shù)據(jù)處理指令將周期時(shí)間變化降到低并保持穩(wěn)定I/O響應(yīng)和文本字符申指令)將在多個(gè)周期內(nèi)處理。只能用在SYS-MAC-CPT上。
程序容量：7.2K字。
RS-232端口：有。
I/O點(diǎn)數(shù)：880點(diǎn)。
I/O擴(kuò)展單元的臺(tái)數(shù)：2臺(tái)。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(DM)：6K字。
處理時(shí)間(基本指令)： 0.3μs 。
多點(diǎn)I/O(組2)可裝載臺(tái)數(shù)：10臺(tái)(1單元占用單元)。
總線I/O的可裝載臺(tái)數(shù)：10臺(tái)(1單元占用單元)。
總線I/O的可裝載臺(tái)數(shù)：5臺(tái)(2單元占用單元)。
多點(diǎn)I/O(組2)可裝載臺(tái)數(shù)：5臺(tái)(2單元占用單元)。
推進(jìn)網(wǎng)絡(luò)多路化控下一世紀(jì)的生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)C200H-B7A22參數(shù)設(shè)置教程。
提高開發(fā)效率。
加速應(yīng)用現(xiàn)場(chǎng)情報(bào)化。回路數(shù)：2回路。
溫度傳感器輸入：熱電偶輸入（R、S、K、J、T、E、B、N、L、U）。
控制輸出：晶體管輸出。
熱/冷溫度控制單元用一個(gè)單元實(shí)現(xiàn)二個(gè)回路的冷卻/加熱控制。
熱/冷溫度控制單元用所連接的溫度傳感器（熱電偶或熱電阻）測(cè)量物體的溫度，
并按預(yù)置的控制模式進(jìn)行加熱和冷卻。
采用先進(jìn)的PID和自適應(yīng)性能獲得穩(wěn)定的溫度控制。
可以選擇ON/OFF控制。
一個(gè)單元有二個(gè)熱/冷控制回路。
加熱器燒斷可利用小2.5A電流差快速檢測(cè)，
燒斷檢測(cè)設(shè)定范圍0.1~49.9A，有助于故障快速排除。大 I/O：512點(diǎn) 程序容量：30K。
采用SFC（順序功能圖）語言，程序結(jié)構(gòu)化，易編、易讀、易調(diào)試。
高功能通信網(wǎng)絡(luò)，SYSMAC NET，SYSMAC LINK及SYSMAC BUS/2。

使用FINS（OMRON通信系統(tǒng)協(xié)議），實(shí)現(xiàn)多層、遠(yuǎn)程編程及及C200H-B7A22支持軟件操作手冊(cè)C200H-B7A22支持軟件操作手冊(cè)。
并行雙I/O擴(kuò)展系統(tǒng)，長度可達(dá)50m，擴(kuò)展單元地址可方便設(shè)定。
高速、高容量、每千條基本指令掃描時(shí)間僅為0.125ms，數(shù)據(jù)區(qū)可達(dá)256K字。
可通過CV500ENT01與ETHERNET通訊。