輸出點(diǎn)數(shù)：96點(diǎn)。
開(kāi)關(guān)容量：DC12～24，0.1 A，源型。
所需字?jǐn)?shù)：6字。
將單元安裝到CPU裝置時(shí)，多可控制960點(diǎn)。
CS1提高空間效率。只需將10個(gè)基本I/O單元(各96個(gè)I/O點(diǎn))安裝到CPU裝置，
即可控制多達(dá)960個(gè)I/O點(diǎn)CPM1A-30CDR-D-V1基礎(chǔ)入門。或者，通過(guò)按住五個(gè)模擬量輸入單元和五個(gè)模擬量輸出單元，
也可控制多達(dá)80個(gè)模擬量I/O點(diǎn)CPM1A-30CDR-D-V1
提高了數(shù)據(jù)鏈接、遠(yuǎn)程I/O通信和協(xié)議宏的刷新性能。
以前，僅在執(zhí)行指令后的I/O刷新期間，CPU總線單元才會(huì)發(fā)生I/O刷新CPM1A-30CDR-D-V1基礎(chǔ)入門。
但是，借助新CS1，通過(guò)使用DLNK指令，可立即刷新I/O。
立即刷新特定于CPU總線單元的過(guò)程意味著可提高CPU總線單元的刷新響應(yīng)性，
如執(zhí)行指令時(shí)用于數(shù)據(jù)鏈接和DeviceNet遠(yuǎn)程I/O通信和分配的CIO區(qū)/DM區(qū)字的過(guò)程。每個(gè)擴(kuò)展裝置上要求一個(gè)I/O接口單元。
連接電纜： CS1W-CN□□3擴(kuò)展連接電纜。
安裝于電源單元右側(cè)。
易于使用的連接器可實(shí)現(xiàn)快速擴(kuò)展而無(wú)需任何設(shè)定。改良型。
電源規(guī)格：AC100-240V。
輸入點(diǎn)數(shù)：8點(diǎn)。
輸出點(diǎn)數(shù)：6點(diǎn)。
輸出型：繼電器。
程序容量：2K步。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量：2K字。
具備先進(jìn)的控制性能和功時(shí)，可支持各種裝置控制CPM1A-30CDR-D-V1基礎(chǔ)入門。
脈沖輸出功能僅晶體管輸出型。
使用100kHz、2軸脈沖輸出功能實(shí)現(xiàn)定位控制。
Modbus-RTU簡(jiǎn)易主機(jī)功能。
通過(guò)內(nèi)置RS-485變頻器速度。
模擬輸入輸出功能。
憑借1/12,000的高分辨率，實(shí)現(xiàn)的模擬輸入輸出控制。
使用選項(xiàng)板可擴(kuò)展較少點(diǎn)數(shù)，使用擴(kuò)展單元多可擴(kuò)展24點(diǎn)。容量：32K字。
在C200HX\C200HG\C200HE CPU內(nèi)安裝EEPROM內(nèi)存卡，
給CPU讀寫(xiě)程序和I/O數(shù)據(jù)。
EEPROM內(nèi)存卡不需要任何后備電源，
即使把它從CPU上取下，仍能保持其數(shù)據(jù)。
EEPROM內(nèi)存卡有一個(gè)存儲(chǔ)保護(hù)開(kāi)關(guān)(SW1)。
ON：EEPROM內(nèi)存卡數(shù)據(jù)受到保護(hù)，禁止寫(xiě)入。
OFF：數(shù)據(jù)可以寫(xiě)入EEPROM內(nèi)存卡，出廠前SW1置為OFF，可以寫(xiě)步。電源電壓：DC24V。
DC5V輸出容量：5..3ACPM1A-30CDR-D-V1操作手冊(cè)。
DC26V輸出容量：1.3A。
總數(shù)：40W。
運(yùn)運(yùn)行中輸出功能：否CPM1A-30CDR-D-V1操作手冊(cè)。
在每個(gè)底板 （裝置）中可安裝2個(gè)電源單位，以組成雙電源。
組成雙電源時(shí)，必須使用同一型號(hào)的CS1D電源單元(CS1D-P)。
選擇電源單元時(shí)，請(qǐng)確認(rèn)一個(gè)單元可滿足裝置的整體電流消耗。