SRAM存儲(chǔ)卡。
RAM容量：256KB。三相4線式。
測(cè)量電路數(shù)：1個(gè)電路。
測(cè)量項(xiàng)目：耗電量（消耗、再生）、電流、電壓、功率、功率因素等。
可簡(jiǎn)單地測(cè)量多種能量信息的電能測(cè)量模塊產(chǎn)品群QD75P2N參數(shù)設(shè)置。
僅用一個(gè)模塊，即可測(cè)量與電量（消耗及再生）、無功電量、電流、電壓、功率、功率因數(shù)以及頻率有關(guān)的各種詳細(xì)信息。
無需梯形圖程序即可持續(xù)監(jiān)視小值和大值，亦可執(zhí)行2種類型的上限/下限報(bào)警QD75P2N
只有在ON狀態(tài)期間，才可測(cè)量輸出設(shè)備所使用的電量。
因此可獲得設(shè)備運(yùn)行期間的電量以及節(jié)拍單位內(nèi)的電量QD75P2N參數(shù)設(shè)置。
在一個(gè)插槽中使用3相3線式產(chǎn)品多可測(cè)量4個(gè)電路，
使用3相4線式產(chǎn)品多可測(cè)量3個(gè)電路，
因此通過多電路型產(chǎn)品可在較小空間中實(shí)施電能測(cè)量。
例如，可使用一個(gè)模塊測(cè)量來自控制面板干線的其他負(fù)載。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版和更高版本），輕松地設(shè)置參數(shù)。輸出點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)。
輸出電壓及電流：DC5~12V；16mA/點(diǎn)；256mA/公共端。
應(yīng)答時(shí)間：0.5ms。
16點(diǎn)1個(gè)公共端。
漏型。
18點(diǎn)端于臺(tái)。
帶保險(xiǎn)絲。
高速處理，生產(chǎn)時(shí)間縮短，更好的性能。
隨著應(yīng)用程序變得更大更復(fù)雜，縮短系統(tǒng)運(yùn)行周期時(shí)間是非常必要的。
通過高的基本運(yùn)算處理速度1.9ns，可性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差QD75P2N參數(shù)設(shè)置。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達(dá)4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對(duì)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動(dòng)時(shí)間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時(shí)的數(shù)據(jù)，
檢驗(yàn)程序調(diào)試的時(shí)間等，可縮短設(shè)備故障分析時(shí)間和啟動(dòng)時(shí)間。
此外，在多CPU系統(tǒng)統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時(shí)間QD75P2N用戶手冊(cè)。
可用編程工具對(duì)收集的數(shù)據(jù)進(jìn)行分分析，
并以圖表和趨勢(shì)圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化QD75P2N用戶手冊(cè)。
并且,可將采樣跟蹤結(jié)果以GX LogViewer形式的CSV進(jìn)行保存，
通過記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進(jìn)行顯示。