SRAM存儲卡。
RAM容量：512KB。SRAM存儲器卡；容量：8M字節。
帶保護罩的記憶卡。
支持SD存儲卡。
高速通用型QCPU支持SD存儲卡，
從而能夠與有SD存儲卡插口的PC之間輕松地實現數據交換Q173CPUN-T使用手冊。
另外、可同時使用SD存儲卡和擴展SRAM卡。
因此，可利用擴展SRAM卡擴展文件寄存器，
可利用SD存儲卡同時進行數據文件記錄、大量注釋數據保存、通過存儲卡進行引導運行Q173CPUN-T
只需插入SD存儲卡，即可自動記錄Q173CPUN-T使用手冊。
只需在CPU中插入保存了記錄設定文件的SD存儲卡，即可自動開始記錄。
即使在需要進行遠程數據收集時，
通過郵件接收記錄設定文件并將其到SD存儲卡中后，
即可立即開始記錄。
更好的用戶體驗數據記錄功能。
記錄方便，無需程序。
只需通過專門的配置工具向導輕松完成設置，
便可將收集的數據以CSV格式保存到SD存儲卡Q173CPUN-T使用手冊。
可有效利用已保存的CSV文件方便地創建各種參考資料，
包括日常報告、生成報表及一般報告。
這些資料可應用于啟動時的數據分析、追溯等。
毫無遺漏地記錄控制數據的變動
可在每次順序掃描期間或者在毫秒時間間隔內收集數據，
毫無遺漏地記錄的控制數據的變動Q173CPUN-T(基本面)。
因此，在發生故障時，可快速確定原因，進行的動作分析。擴展SRAM卡 4MB
只需插入SD存儲卡，即可自動記錄。
只需在CPU中插入保存了記錄設定文件的SD存儲卡，即可自動開始記錄。
即使在需要進行遠程數據收集時，
通過郵件接收記錄設定文件并將其到SD存儲卡中后，
即可立即開始記錄Q173CPUN-T(基本面)。輸入：4通道。
輸入：DC-10~10V、DC0~20mA。
輸出（分辨率）：0~4000、-4000~4000、0~12000、0~16000、-16000~16000Q173CPUN-T(基本面)。
轉換速度度：500μs/1通道。
18點端子排。
以智能功能拓展控制的可能性。
通道隔離型模擬量模塊在實現高隔離電壓的同時，
進一步提高了基準精度。
為使用通用可編程控制器進行過程控制提供支持。
流量計、壓力表、其它傳感器等可直接連接至模擬量輸入，
控制閥也可直接連接至模擬量輸出。
由于不需要外部隔離放大器，硬件和安裝成本得以大幅降低。
高緣強度耐壓 。
可隔離電氣干擾，例如電流和噪音等。
標準型模擬量輸入模塊。
隔離型模擬量輸入模塊。
無需外部隔離放大器。
不使用通道間隔離型模擬量模塊時。
使用了通道間隔離型模擬量模塊時。輸入輸出點數：4096點。
輸入輸出元件數：8192點。
程序容量：26 k步。
處理速度：79ns。
程序存儲器容量：144 KB。
內置RS232通信口。
支持安裝記憶卡。
僅用于A模式。
提升基本性能。
CPU的內置軟元件存儲器容量增加到多60K字。
對增大的控制、質量管理數據也可高速處理。
方便處理大容量數據。
以往無法實現標準RAM和SRAM卡文件寄存器區域的連續存取，
在編程時需要考慮各區域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個連續的文件寄存器，
容量多可達4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區域。
變址寄存器器擴展到了32位，從而使編程也可越了傳統的32K字，
并實現變址修飾擴擴展到文件寄存器的所有區域Q173CPUN-T使用手冊Q173CPUN-T編程手冊。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數據（陣列）的運算起著重要作用，
該速度現已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。