電纜的長度：3.0米。
MELSEC iQ-R系列的"模塊間同步功能"，是指可按照模塊間同步周期，
使作為同步對象的多個(gè)輸入輸出模塊和智能功能模塊的輸入或輸出時(shí)間同步的功能R120ENCPU初級教程。
利用此功能，可對系統(tǒng)和設(shè)備進(jìn)行控制。
此外，還可在CC-LinkIE現(xiàn)場網(wǎng)絡(luò)同步通信中， 使動作時(shí)間在網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)之間保持同步，
避免因網(wǎng)絡(luò)傳輸延遲時(shí)間而導(dǎo)致的誤差，從而構(gòu)建穩(wěn)定的系統(tǒng)R120ENCPU
同時(shí)使用這些功能，可輕松應(yīng)對要求各項(xiàng)動作同步的情況，
例如膠印機(jī)的切割和彎折工序等。運(yùn)算控制方式：存儲程序反復(fù)運(yùn)算R120ENCPU初級教程。
內(nèi)置CC-Link IE。
輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
程序容量：40K。
提高恒定周期中斷程序的速度。
執(zhí)行恒定周期中斷程序的小間隔可縮短到50μs，
可編程控制器可切實(shí)讀取更高速的信號。
此外，還可為中斷程序設(shè)定優(yōu)先度，在中斷處理時(shí)執(zhí)行優(yōu)先度高的中斷程序。
因此，在高速讀取信號時(shí)，也可通過常規(guī)的輸入模塊+CPU模塊的恒定周期中斷程序讀取信號。
便于處理的軟元件/標(biāo)簽區(qū)域
將擴(kuò)展SRAM卡安裝到可編程控制器CPU模塊上后，
可擴(kuò)展多 5786K 字的軟元件/標(biāo)簽存儲區(qū)域。
擴(kuò)展區(qū)域作為與內(nèi)置CPU模塊的存儲器相連的區(qū)域，
可自由分配軟元件/標(biāo)簽等的范圍。
因此大容量數(shù)據(jù)R120ENCPU初級教程。運(yùn)算控制方式：存儲程序反復(fù)運(yùn)算。
輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
程序容量：320K。
作為可編程控制器控制系統(tǒng)的核心，可編程控制器CPU模塊中已配備多種功能，
支持多種控制。程序容量從40K步到1200K步，可選擇適合系統(tǒng)規(guī)模的CPU模塊。
并且具有可直接連接到工業(yè)網(wǎng)絡(luò)的CPU模塊，可降低系統(tǒng)構(gòu)建成本。
標(biāo)配各種接口。
可編程控制器CPU模塊已標(biāo)配以太網(wǎng)端口、 USB端口、 SD存儲卡插槽。
以太網(wǎng)端口和USB端口可用于與對應(yīng)外圍設(shè)備之間的通信，
SD存儲卡插槽可用于記錄數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫等數(shù)據(jù)的存儲。
此外，還可使用擴(kuò)展SRAM卡，用于軟元件/標(biāo)簽存儲器容量的擴(kuò)展和用作硬件安全密鑰。安全度等級（SIL）：SIL 3（IEC 61508）。
性能等級（ PL）：PL e（EN/ISO 13849-1）。
運(yùn)算控制方式：存儲程序反復(fù)運(yùn)算。
程序容量：80K（安全程序用：40K）。
程序內(nèi)存：320K。
軟元件/標(biāo)簽內(nèi)存：1178K。
數(shù)據(jù)內(nèi)存：5M。
符合國際安全標(biāo)準(zhǔn)的安全CPU可同時(shí)控制一般系統(tǒng)和安全系統(tǒng)。
可通過CC-Link IE Field網(wǎng)絡(luò)，
將安全開關(guān)和安全光幕等連接到使用了安全CPU的系統(tǒng)，
構(gòu)建混合使用一般控制和安全控制的系統(tǒng)。
此外，通過使用操作直觀的工程軟件GX Works3，
集中進(jìn)行一般控制和安全控制的編程。
將安全功能整合到控制制系統(tǒng)中R120ENCPUFB參考。
可將以往的MELSEC iQ-R系列模塊作為一般控制用途，
在在同一基板上使用，因此可構(gòu)建混合使用一般控制和安全控制的系統(tǒng)R120ENCPUFB參考。
而且，可通過CC-Link IE Field網(wǎng)絡(luò)整合一般通信和安全通信，
在進(jìn)行安全通信時(shí)，也可使用一般的以太網(wǎng)電纜，
無需使用專用電纜等。