輸入：8通道。
熱電偶。
轉(zhuǎn)換速度：320ms/8通道。
40針連接器。
適合用于過程控制的隔離模擬量模塊。
可通過連接熱電偶/熱電阻來收集溫度數(shù)據(jù)。
產(chǎn)品可選擇多通道（ 8通道）輸入型和通道隔離型QD75P4N原理及應(yīng)用。
客戶可根據(jù)預(yù)期用途選擇適合的型號(hào)。
自動(dòng)備份關(guān)鍵數(shù)據(jù)
將程序和參數(shù)文件自動(dòng)保存到無需使用備份電池的程序存儲(chǔ)器（Flash ROM）中，
以防因忘記更換電池而導(dǎo)致程序和參數(shù)丟失QD75P4N
此外，還可將軟元件數(shù)據(jù)等重要數(shù)據(jù)備份到標(biāo)準(zhǔn)ROM，
以避免在長(zhǎng)假期間等計(jì)劃性停機(jī)時(shí)，
這些數(shù)據(jù)因電池電量耗盡而丟失QD75P4N原理及應(yīng)用。
下次打開電源時(shí)，備份的數(shù)據(jù)將自動(dòng)恢復(fù)。
縮短系統(tǒng)停機(jī)復(fù)原時(shí)間。
只需簡(jiǎn)單的操作，即可將CPU內(nèi)的所有數(shù)據(jù)備份到存儲(chǔ)卡中。
通過定期備份，可始終將新的參數(shù)、程序等保存到存儲(chǔ)卡。
在萬一發(fā)生CPU故障時(shí)，在更換CPU后，可通過簡(jiǎn)單的操作，
通過事前備份了數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)卡進(jìn)行系統(tǒng)復(fù)原。
因此，無需花費(fèi)時(shí)間管理備份數(shù)據(jù)，也可縮短系統(tǒng)停機(jī)時(shí)的復(fù)原時(shí)間。緊湊型閃存卡。
容量:512M字節(jié)。輸出點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)。
輸出電壓及電流：DC5~12V；16mA/點(diǎn)；256mA/公共端。
應(yīng)答時(shí)間：0.5ms。
16點(diǎn)1個(gè)公共端。
漏型。
18點(diǎn)端于臺(tái)。
帶保險(xiǎn)絲。
高速處理，生產(chǎn)時(shí)間縮處理速度1.9ns，可縮短運(yùn)行周期QD75P4N原理及應(yīng)用。
除了可以實(shí)現(xiàn)以往與單片機(jī)控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過減少總掃描時(shí)間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達(dá)4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對(duì)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動(dòng)時(shí)間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時(shí)的數(shù)據(jù)，
檢驗(yàn)程序調(diào)試的時(shí)間等，可縮短設(shè)備故障分析時(shí)間和啟動(dòng)時(shí)間。
此外，在多CPU系統(tǒng)統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時(shí)間QD75P4N用戶手冊(cè)。
可用編程工具對(duì)收集的數(shù)據(jù)進(jìn)行分分析，
并以圖表和趨勢(shì)圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化QD75P4N用戶手冊(cè)。
并且,可將采樣跟蹤結(jié)果以GX LogViewer形式的CSV進(jìn)行保存，
通過記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進(jìn)行顯示。