輸出點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)高速、漏型。
額定電壓：DC24V。
大負(fù)載電流：0.5A/點(diǎn)5A/單元。
外部連接：可拆卸端子塊。
用于高速輸出和不同應(yīng)用的各種基本輸出單元CP1E-N60DR-A技術(shù)指標(biāo)。
這些輸出單元從CPU單元接收輸出指令的結(jié)果并執(zhí)行外部設(shè)備的ON/OFF控制。
高速輸出型號(hào)CJ1W-OD213和CJ1W-OD234可以幫助提高系統(tǒng)總處理能力CP1E-N60DR-A
提供了高速輸出型號(hào)以滿足各種應(yīng)用。
ON響應(yīng)時(shí)間：15μs，OFF響應(yīng)時(shí)間：80μs
輸出單元具有三種輸出類(lèi)型中的任何一種：繼電器接點(diǎn)輸出、三端雙向輸出或晶體管輸出CP1E-N60DR-A技術(shù)指標(biāo)。
對(duì)于晶體管輸出，可在漏型輸出或源型輸出中進(jìn)行選擇。
還提供具有負(fù)載短路保護(hù)的輸出單元。*1
選擇每個(gè)應(yīng)用的佳接口：Fujitsu連接器或MIL連接器。*2
提供了各種連接器-端子塊轉(zhuǎn)換單元，使您可以方便地對(duì)外部輸出設(shè)備進(jìn)行布線。
*1.以下單元具有負(fù)載短路保護(hù)：CJ1W-OC202、CJ1W-OD204、CJ1W-OD212和CJ1W-OD232。
*2.可用于具有32點(diǎn)輸出或64點(diǎn)輸出的型號(hào)。容量：32K字。
在C200HX\C200HG\C200HE CPU內(nèi)安裝EEPROM內(nèi)存卡，
給CPU讀寫(xiě)程序和I/O數(shù)據(jù)。
EEPROM內(nèi)存卡不SW1)CP1E-N60DR-A技術(shù)指標(biāo)。
ON：EEPROM內(nèi)存卡數(shù)據(jù)受到保護(hù)，禁止寫(xiě)入。
OFF：數(shù)據(jù)可以寫(xiě)入EEPROM內(nèi)存卡，出廠前SW1置為OFF，可以寫(xiě)步。模擬量輸出點(diǎn)數(shù)：8點(diǎn)。
信號(hào)范圍選擇：每個(gè)輸入單獨(dú)設(shè)定。
信號(hào)范圍：4～20mA。
外部連接：可拆卸端子塊。
用于將二進(jìn)位數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬量輸出信號(hào)的模擬量輸出單元。
輸出保持功能。
在1個(gè)單元中多可輸出8個(gè)模擬量輸出信號(hào)。輸出點(diǎn)數(shù)：8點(diǎn)。
大開(kāi)關(guān)能力：AC250V 1.2A。
外部接線：拆卸端子塊。
SYSBUS遠(yuǎn)程I/O從站機(jī)架：可以。
占用單元數(shù)：1CH。
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)：CE。
新改進(jìn)的特殊I/O單元使得PC應(yīng)用更為容易。
新增加了運(yùn)動(dòng)控制單元、雙軸高速計(jì)數(shù)器單元、8點(diǎn)模擬量I/O單元，
4點(diǎn)模擬量I/O混合單元。
安裝在CPU上特殊I/O單元數(shù)目已從多10個(gè)增加到16個(gè)，
它更充分利用了C200HX/HG PC的功能，
正確組合特殊I/O單元可以容易地對(duì)被控制系統(tǒng)進(jìn)行管理理CP1E-N60DR-A用戶手冊(cè)CP1E-N60DR-A用戶手冊(cè)。
可實(shí)現(xiàn)智能I/O讀寫(xiě)指令。
只執(zhí)行1條指令即可以傳送多個(gè)字的數(shù)據(jù)與C200HS兼容的全部特殊I/O單元都可以照常使用。
SYSMAC C200HX/HG/HE系列逐漸成為受用戶的喜愛(ài)的強(qiáng)有力的PC。