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歐姆龍
直流輸入/晶體管輸出模塊
C200H-MD115

輸入點數(shù)：16點。輸入電壓：DC12V。輸入電流：4.1mA。

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直流輸入/晶體管輸出模塊
C200H-MD215

輸入點數(shù)：16點。輸入電壓：DC24V。輸入電流：4.1mA。

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TTL輸入/輸出模塊
C200H-MD501

輸入點數(shù)：16點。輸入電壓：DC5V。輸入電流：約3.5mA 。

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EEPROM內(nèi)存卡
C200H-ME431

UM：3K字； DM：1K字。要將程序?qū)懭隕PROM，請使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫入器。在EPROM存儲器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲器盒內(nèi)。

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EEPROM內(nèi)存卡
C200H-ME831

UM：7K字； DM：1K字。要將程序?qū)懭隕PROM，請使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫入器。在EPROM存儲器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲器盒內(nèi)。

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EPROM內(nèi)存卡
C200H-MP831

UM：7K字； DM：1K字。要將程序?qū)懭隕PROM，請使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫入器。在EPROM存儲器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲器盒內(nèi)。

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CMOS-RAM內(nèi)存卡
C200H-MR431

cmos-ram單元：內(nèi)置備用電池。 UM：3K字； DM：1K字。 CPU有一個安裝存儲器盒的艙。

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CMOS-RAM內(nèi)存卡
C200H-MR432

cmos-ram單元：電容器備份。 UM：3K字； DM：1K字。 CPU有一個安裝存儲器盒的艙。

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CMOS-RAM內(nèi)存卡
C200H-MR831

cmos-ram單元：內(nèi)置備用電池。 UM：7K字； DM：1K字。 CPU有一個安裝存儲器盒的艙。

歐姆龍
CMOS-RAM內(nèi)存卡
C200H-MR832

cmos-ram單元：電容器備份。 UM：7K字； DM：1K字。 CPU有一個安裝存儲器盒的艙。

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定位模塊
C200H-NC111

控制軸數(shù)：1軸/單元。位置精據(jù)容量：20/軸。位置控制單元檢出位置可由高度精度定位得以實現(xiàn)。

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定位模塊
C200H-NC112

控制軸數(shù)：1軸/單元。位置精據(jù)容量：20/軸。使用自動梯形或S曲線加速或減速進(jìn)行定位。

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