輸出點(diǎn)數(shù)：32點(diǎn)、漏型(128點(diǎn)源型可輸出設(shè)定)。
額定電壓：DC24V。
大負(fù)載電流：16mA/4.5V～100mA/26.4V。
外部接線：連接器方式(適用連接器C500-CE241)CPM2AH-40CDR-A詳解。
SYSBUS遠(yuǎn)程I/O從站機(jī)架：可以。
占用單元數(shù)：1單元（No.0～9）。
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)：U、C、CE。
這些高密度I/O單元作為特殊I/O單元處理CPM2AH-40CDR-A
它們還可以用作128點(diǎn)（64點(diǎn)雙回路）動(dòng)態(tài)輸出單元。
能大量減少多位輸出設(shè)備的接線。
當(dāng)這些模塊安裝在從站機(jī)架上時(shí)遠(yuǎn)程I/O主站必須是C200H-RM001-PV1或C200H-RM201CPM2AH-40CDR-A詳解。PC卡凹槽：1個(gè)PC Card Type II凹槽，插入歐姆龍HMC-EF□□□以使用存儲(chǔ)卡。
Ethernet(LAN)端口：1個(gè)端口(10/100BASE-TX)。
無(wú)需編寫(xiě)梯形編程即可收集數(shù)據(jù)。
使用現(xiàn)有系統(tǒng)，只需安裝SYSMAC SPU單元并將其添加到I/O表中即可開(kāi)始數(shù)據(jù)收集。
使用時(shí)間或事件作為觸發(fā)器以將字的內(nèi)容記錄在CPU單元的I/O存儲(chǔ)器中。
在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模式中，可使用多達(dá)65個(gè)數(shù)據(jù)收集模式，
其中含一個(gè)基本收集模式和數(shù)據(jù)收集模式1~64。
將收集模式與事件相結(jié)合可同時(shí)收集/S主單元功能
大356點(diǎn)I/O
或者大28路模擬量I/O2槽 （不能連接擴(kuò)展I/O單元），可以安裝2個(gè)模塊CPM2AH-40CDR-A詳解。
C200H系列PLC模塊和CS系列PLC的模塊都可以用。
兩個(gè)擴(kuò)展裝置系列，長(zhǎng)度多達(dá)50米，適用于長(zhǎng)距離擴(kuò)展，
多可包括72個(gè)單元和7個(gè)裝置。
由于在12m距離內(nèi)具備多達(dá)80個(gè)單元和7個(gè)裝置的擴(kuò)展容量，CS1可滿足大型控制需求。
或者，一個(gè)I/O控制單元和多個(gè)I/O接口單元可用于連接兩個(gè)系列的CS1長(zhǎng)距離擴(kuò)展裝置
(各延長(zhǎng)多達(dá)50m且共包含多達(dá)72個(gè)元和7個(gè)裝置)。CS1基本I/O單元、CS1高功能I/O單元和CS1 CPU總線單元可安裝在裝置中的任意位置，
且無(wú)需滿足特殊遠(yuǎn)程編程要求即可進(jìn)行編程。
注:C200H單元不能安裝在長(zhǎng)距離擴(kuò)展裝置中。輸出點(diǎn)數(shù)：8點(diǎn)。
大開(kāi)關(guān)容量：2A.AC250V。
小開(kāi)關(guān)容量：10mA DC5V。
響應(yīng)時(shí)間(ON延遲)：大10ms。
響應(yīng)時(shí)間(OFF延遲)：大5ms。
外部連接：端子臺(tái)。
輸出公共端：獨(dú)立端。
內(nèi)部電流消耗(DC55V)：大430mACPM2AH-40CDR-A安全注意事項(xiàng)。
雙倍的I/O點(diǎn)數(shù)和程序容量，提供足足夠的控制能力CPM2AH-40CDR-A安全注意事項(xiàng)。
與CQM1相比，程序容量、DM容量和I/O點(diǎn)數(shù)都增加了一倍。
增加程序和DM容量以滿足更復(fù)雜的控制程序，
以及要求更高功能的數(shù)據(jù)處理的需要。
增加I/O數(shù)來(lái)支持大型系統(tǒng)和專用I/O單元。