輸出點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)。
輸出電壓及電流：DC5~12V；16mA/點(diǎn)；256mA/公共端。
應(yīng)答時(shí)間：0.5ms。
16點(diǎn)1個(gè)公共端。
漏型。
18點(diǎn)端于臺(tái)。
帶保險(xiǎn)絲QD62E基礎(chǔ)知識(shí)。
高速處理，生產(chǎn)時(shí)間縮短，更好的性能。
隨著應(yīng)用程序變得更大更復(fù)雜，縮短系統(tǒng)運(yùn)行周期時(shí)間是非常必要的。
通過(guò)高的基本運(yùn)算處理速度1.9ns，可縮短運(yùn)行周期QD62E
除了可以實(shí)現(xiàn)以往與單片機(jī)控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過(guò)減少總掃描時(shí)間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無(wú)法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界QD62E基礎(chǔ)知識(shí)。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達(dá)4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過(guò)安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對(duì)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。可縮短設(shè)備故障分析時(shí)間和啟動(dòng)時(shí)間QD62E基礎(chǔ)知識(shí)。
此外，在多CPU系統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時(shí)間。
可用編程工具對(duì)收集的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，
并以圖表和趨勢(shì)圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化。
并且,可將采樣跟蹤結(jié)果以GX LogViewer形式的CSV進(jìn)行保存，
通過(guò)記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進(jìn)行顯示。4軸，差分驅(qū)動(dòng)器輸出型。
2軸/3軸/4軸直線插補(bǔ)。
2軸弧線插補(bǔ)。
控制單位：mm、英寸、度、脈沖。
定位數(shù)據(jù)數(shù)：600個(gè)數(shù)據(jù)/軸。
大脈沖輸出：1Mpps。
40針連接器。
定位模塊。
開(kāi)路集電極輸出型。
差分驅(qū)動(dòng)器輸出型。
根據(jù)用途分為開(kāi)路集電極輸出型和差分驅(qū)動(dòng)器輸出型 2 種類型。
差分驅(qū)動(dòng)器輸出型定位模塊可將高速指令脈沖 ( 高 4Mpps) 可靠地傳輸至伺服放大器，
傳輸距離可達(dá) 10 米，實(shí)現(xiàn)高速的控制。
（開(kāi)路集電極型定位模塊的指令脈沖高為200kpps。）
也可滿足高速、控制需求。
適合用于要求高速轉(zhuǎn)換控制領(lǐng)域的模擬量模塊。
可提供多種模數(shù)和數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊產(chǎn)品。
這些模塊功能多樣，在連接設(shè)備時(shí)，實(shí)現(xiàn)了大的靈活性。
可滿足變頻器控制等高速轉(zhuǎn)換需求。
具有卓越性能的各種模塊,
滿足從模擬量到定位的各種控制需求。
Q系列模塊產(chǎn)品包括種類豐富的各種I/O、模模擬量和定位功能模塊QD62EEMC。
可地滿足開(kāi)關(guān)、傳感器等的輸入輸出，溫度、重量、流量和電機(jī)機(jī)、驅(qū)動(dòng)器的控制，
以及要求控制的定位等各行業(yè)、各領(lǐng)域的控制需求QD62EEMC。
還可與CPU模塊組合使用，實(shí)現(xiàn)恰如其分的控制。
以智能功能拓展控制的可能性。
提供各種模擬量模塊，是應(yīng)用于過(guò)程控制應(yīng)用的理想選擇。